IXYS N Kanal, MOSFET, 550 A 55 V Förbättring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

521,43 kr

(exkl. moms)

651,79 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 1521,43 kr
2 - 4510,94 kr
5 - 9495,38 kr
10 - 14490,11 kr
15 +484,96 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
875-2500
Tillv. art.nr:
MMIX1T550N055T2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

550A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

24

Maximal drain-källresistans Rds

1.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

595nC

Maximal effektförlust Pd

830W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

25.25mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

23.25mm

Höjd

5.7mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™-serie


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.