DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 580 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 823-2943
- Tillv. art.nr:
- DMN601DMK-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
85,80 kr
(exkl. moms)
107,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 4,29 kr | 85,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 823-2943
- Tillv. art.nr:
- DMN601DMK-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 580mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-26 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 304nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 980mW | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Längd | 3.1mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 580mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-26 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 304nC | ||
Maximal effektförlust Pd 980mW | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.3mm | ||
Längd 3.1mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | ||
Bredd 1.7mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 580 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP AEC-Q101