DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 580 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Se alla MOSFET-transistor

Antal (20 enheter, i en förpackning med 20)*

85,80 kr

(exkl. moms)

107,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +4,29 kr85,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
823-2943
Tillv. art.nr:
DMN601DMK-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

580mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-26

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

4Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

980mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

304nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0

Bredd

1.7mm

Längd

3.1mm

Höjd

1.3mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.