DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

5 697,50 kr

(exkl. moms)

7 122,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +2,279 kr5 697,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
122-3278
Tillv. art.nr:
DMN4031SSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

50mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Framåtriktad spänning Vf

0.74V

Maximal effektförlust Pd

2.6W

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202

Bredd

3.95mm

Längd

4.95mm

Höjd

1.5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.