DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 122-3313
- Tillv. art.nr:
- DMN3190LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 418,00 kr
(exkl. moms)
3 024,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,806 kr | 2 418,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-3313
- Tillv. art.nr:
- DMN3190LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 335mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 335mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 840 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Liten signal, 200 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200