DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

7 090,00 kr

(exkl. moms)

8 862,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 12 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +2,836 kr7 090,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
122-0209
Tillv. art.nr:
DMG4800LSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.72V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Maximal effektförlust Pd

1.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.56nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.5mm

Bredd

3.95mm

Standarder/godkännanden

UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202

Längd

4.95mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.