DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 165-8845
- Tillv. art.nr:
- DMN65D8LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
2 676,00 kr
(exkl. moms)
3 345,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,892 kr | 2 676,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8845
- Tillv. art.nr:
- DMN65D8LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.43nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.43nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Liten signal, 200 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 840 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101