DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 922-8597
- Tillv. art.nr:
- DMP4025LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
16 767,50 kr
(exkl. moms)
20 960,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,707 kr | 16 767,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 922-8597
- Tillv. art.nr:
- DMP4025LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.14W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.7V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.14W | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.7V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Bredd 3.95mm | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 580 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-26 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101