Vishay N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (20 enheter, i en förpackning med 20)*

137,10 kr

(exkl. moms)

171,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1806,855 kr137,10 kr
200 - 4805,639 kr112,78 kr
500 - 9805,236 kr104,72 kr
1000 - 19805,102 kr102,04 kr
2000 +4,979 kr99,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
818-1441
Tillv. art.nr:
SIA416DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SC-70

Serie

ThunderFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

130mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

0.85V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.5nC

Maximal effektförlust Pd

19W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.75mm

Bredd

2.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.15mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, medelspänning/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.