Vishay N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, ThunderFET
- RS-artikelnummer:
- 787-9131
- Tillv. art.nr:
- SI4090DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
102,82 kr
(exkl. moms)
128,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 325 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 20,564 kr | 102,82 kr |
| 50 - 120 | 20,138 kr | 100,69 kr |
| 125 - 245 | 15,188 kr | 75,94 kr |
| 250 - 495 | 12,544 kr | 62,72 kr |
| 500 + | 9,856 kr | 49,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 787-9131
- Tillv. art.nr:
- SI4090DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | ThunderFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 7.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie ThunderFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 7.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, medelspänning/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, ThunderFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 11.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, ThunderFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, ThunderFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, ThunderFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4190ADY
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.7 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4116DY
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4850EY