Vishay N Kanal, MOSFET, 31 A 40 V Förbättring, 7 Ben, SC-70, SIA
- RS-artikelnummer:
- 279-9901
- Tillv. art.nr:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
11 070,00 kr
(exkl. moms)
13 830,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,69 kr | 11 070,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9901
- Tillv. art.nr:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | SIA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.011Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 19.2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 2.05mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie SIA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.011Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal effektförlust Pd 19.2W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 2.05mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
Helt blyfri (Pb)-enhet
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 31 A 40 V Förbättring, 7 Ben, SC-70, SIA
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.8 A 100 V Förbättring, 7 Ben, SC-70-6L, SIA
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 20 V, PowerPAK SC-70, SIA
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V, PowerPAK SC-70, SIA
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, Si1441EDH
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, SiA461DJ
