Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, Si1441EDH
- RS-artikelnummer:
- 812-3079
- Tillv. art.nr:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 20 enheter)*
120,30 kr
(exkl. moms)
150,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 6,015 kr | 120,30 kr |
| 200 - 480 | 4,564 kr | 91,28 kr |
| 500 - 980 | 4,211 kr | 84,22 kr |
| 1000 - 1980 | 3,623 kr | 72,46 kr |
| 2000 + | 3,131 kr | 62,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 812-3079
- Tillv. art.nr:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | Si1441EDH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie Si1441EDH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V till 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, Si1441EDH
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -36 A -20 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 30.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, SiA471DJ
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, SiA461DJ
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V, PowerPAK SC-70, SIA
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 20 V, PowerPAK SC-70, SIA
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V, PowerPAK SC-70, SiA4263DJ