Vishay N Kanal, MOSFET, 11.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, ThunderFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

43,90 kr

(exkl. moms)

54,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 175 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +8,78 kr43,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9137
Tillv. art.nr:
SI4056DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

ThunderFET

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

31mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

5.7W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.5mm

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, medelspänning/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.