Vishay N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
165-6297
Tillv. art.nr:
SIA416DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

ThunderFET

Kapseltyp

SC-70

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

130mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

0.85V

Maximal effektförlust Pd

19W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.75mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.15mm

Längd

2.15mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, medelspänning/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.