Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, Si8489EDB
- RS-artikelnummer:
- 818-1438
- Tillv. art.nr:
- SI8489EDB-T2-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
121,52 kr
(exkl. moms)
151,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 6,076 kr | 121,52 kr |
| 200 - 980 | 5,707 kr | 114,14 kr |
| 1000 - 1980 | 5,169 kr | 103,38 kr |
| 2000 - 4980 | 4,85 kr | 97,00 kr |
| 5000 + | 4,559 kr | 91,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 818-1438
- Tillv. art.nr:
- SI8489EDB-T2-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | MIKROFOT | |
| Serie | Si8489EDB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 82mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12, +12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.268mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1mm | |
| Längd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp MIKROFOT | ||
Serie Si8489EDB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12, +12V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.268mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1mm | ||
Längd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V till 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, Si8489EDB
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 12 V Förbättring, 6 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, SI8802DB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 8 V, 6 Ben, MIKROFOT
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -6.3 A -30 V Förbättringsläge, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -4.3 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP3056L