Sök efter MPN

IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3

RS-artikelnummer:: 804-7603
Distrelec artikelnummer:: 302-53-380
Tillv. art.nr:: IXFN80N60P3
Tillverkare / varumärke:: IXYS

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

440,83 kr

(exkl. moms)

551,04 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

154 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 - 1	440,83 kr
2 - 4	431,98 kr
5 +	418,77 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 804-7603
Distrelec artikelnummer:: 302-53-380
Tillv. art.nr:: IXFN80N60P3
Tillverkare / varumärke:: IXYS

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	IXYS
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	66A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Serie	HiperFET, Polar3
	Kapseltyp	SOT-227
	Typ av fäste	Panel
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	70mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	960W
	Framåtriktad spänning Vf	1.5V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	190nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	38.23mm
	Höjd	9.6mm
	Bredd	25.07mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke IXYS
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 66A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Serie HiperFET, Polar3
	Kapseltyp SOT-227
	Typ av fäste Panel
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 960W
	Framåtriktad spänning Vf 1.5V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 190nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 38.23mm
	Höjd 9.6mm
	Bredd 25.07mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien

Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS

Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.