IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET

Antal (1 rör med 10 enheter)*

4 942,34 kr

(exkl. moms)

6 177,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 20 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
10 +494,234 kr4 942,34 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-1694
Tillv. art.nr:
IXFN24N100
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

1kV

Kapseltyp

SOT-227

Serie

HiperFET

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

390mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

267nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

568W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.6mm

Längd

38.23mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serie


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.