IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 192 A 300 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3

Antal (1 rör med 10 enheter)*

3 990,81 kr

(exkl. moms)

4 988,51 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
10 +399,081 kr3 990,81 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
177-5342
Tillv. art.nr:
IXFN210N30P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

192A

Maximal källspänning för dränering Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapseltyp

SOT-227

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

14.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

268nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

1.5kW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.6mm

Längd

38.23mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.