DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN6040SK3 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 790-4609
- Tillv. art.nr:
- DMN6040SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
43,41 kr
(exkl. moms)
54,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 110 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 4,341 kr | 43,41 kr |
| 50 - 120 | 4,104 kr | 41,04 kr |
| 130 + | 3,473 kr | 34,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 790-4609
- Tillv. art.nr:
- DMN6040SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DMN6040SK3 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 42W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DMN6040SK3 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 42W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.2mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN6040SK3 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 17.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 46.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMTH6016LK3 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 46.3 A 100 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMT AEC-Q101
