DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

12 130,00 kr

(exkl. moms)

15 162,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,852 kr12 130,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
254-8645
Tillv. art.nr:
DMT15H053SK3-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

TO-252

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

41mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

1.73W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

6.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.58mm

Höjd

2.29mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är tillämpligt i DC-till-DC-omvandlare och strömförsörjning

Låg påslagningsresistans

Låga effektförluster

Låga omkopplingsförluster

Halogen- och antimonfritt

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.