DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 46.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMTH6016LK3 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-7269
- Tillv. art.nr:
- DMTH6016LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
121,625 kr
(exkl. moms)
152,025 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 4,865 kr | 121,63 kr |
| 250 - 475 | 3,983 kr | 99,58 kr |
| 500 - 975 | 3,656 kr | 91,40 kr |
| 1000 - 1475 | 3,127 kr | 78,18 kr |
| 1500 + | 2,926 kr | 73,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7269
- Tillv. art.nr:
- DMTH6016LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | DMTH6016LK3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 60W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.26mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie DMTH6016LK3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 60W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.26mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Bredd 6.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna nya generation MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Klassad för +175 °C – idealisk för hög omgivningstemperatur
Miljöer
Låg RDS(ON) – säkerställer att tillståndsförluster minimeras
Utmärkt Qgd x RDS(ON)-produkt (FOM)
Blyfri yta
Halogen- och antimonfri. Grön enhet.
Strömhanteringsfunktioner
DC/DC-omvandlare
Bakgrundsbelyst
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 46.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMTH6016LK3 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 17.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 79 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 79 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101