DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 46.3 A 100 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-7372
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H025SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
52,59 kr
(exkl. moms)
65,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 150 enhet(er) från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 5,259 kr | 52,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7372
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H025SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | DMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.26mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie DMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.26mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.
100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable
and Robust End Application
Low RDS(ON) – Minimizes Power Losses
Low QG – Minimizes Switching Losses
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Applications
Power Management Functions
DC-DC Converters
Backlighting
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 46.3 A 100 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 68.8 A 100 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMT
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 7.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 14.1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101