DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-6893
- Tillv. art.nr:
- DMN3009SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
4 515,00 kr
(exkl. moms)
5 645,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,806 kr | 4 515,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-6893
- Tillv. art.nr:
- DMN3009SK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 44W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Höjd | 2.26mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 44W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.2mm | ||
Höjd 2.26mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Användningsområden
Strömhanteringsfunktioner
DC/DC-omvandlare
Industri
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 14.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 12.2 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN AEC-Q101