DiodesZetex 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 8.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 790-4592
- Tillv. art.nr:
- DMN3018SSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
149,175 kr
(exkl. moms)
186,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 1 150 enhet(er) levereras från den 14 september 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 5,967 kr | 149,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 790-4592
- Tillv. art.nr:
- DMN3018SSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Längd | 4.95mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Bredd 3.95mm | ||
Längd 4.95mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | ||
Höjd 1.5mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 8.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMT6016LSS
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
