DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 11.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMT6016LSS
- RS-artikelnummer:
- 921-1177
- Tillv. art.nr:
- DMT6016LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
155,90 kr
(exkl. moms)
194,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 35 920 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 7,795 kr | 155,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 921-1177
- Tillv. art.nr:
- DMT6016LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DMT6016LSS | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DMT6016LSS | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMT6016LSS
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 8.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q101