DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 246-7502
- Tillv. art.nr:
- DMHC4035LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
62,87 kr
(exkl. moms)
78,59 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,287 kr | 62,87 kr |
| 50 - 90 | 6,16 kr | 61,60 kr |
| 100 - 240 | 4,906 kr | 49,06 kr |
| 250 - 990 | 4,794 kr | 47,94 kr |
| 1000 + | 4,312 kr | 43,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-7502
- Tillv. art.nr:
- DMHC4035LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.058Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.058Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex gör en ny generation kompletterande MOSFET H-brygga, som har låg påslagningsresistans som kan uppnås med låg grinddrivning. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i SO-8-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och låg ingångskapacitans. Den har ett arbetstemperaturområde på -55 °C till +150 °C.
Maximal dränering till källspänning är 40 V och maximal grind till källspänning är ±20 V 2 N-kanaler och 2 P-kanaler i en SOIC-kapsel Den har låg påslagningsresistans
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 11.4 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 160 mA 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 7.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101