DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 246-7558
- Tillv. art.nr:
- DMT68M8LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
121,35 kr
(exkl. moms)
151,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 4,854 kr | 121,35 kr |
| 50 - 75 | 4,758 kr | 118,95 kr |
| 100 - 225 | 3,633 kr | 90,83 kr |
| 250 - 975 | 3,562 kr | 89,05 kr |
| 1000 + | 3,346 kr | 83,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-7558
- Tillv. art.nr:
- DMT68M8LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.45mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.45mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SO-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has working temperature range of -55°C to +150°C.
Maximum drain to source voltage is 60 V Maximum gate to source voltage is ±20 V It offers low on-resistance It has low gate threshold voltage It offers an ESD protected gate
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP65H AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI1012-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101