DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 122-0208
- Tillv. art.nr:
- DMG4466SSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
2 930,00 kr
(exkl. moms)
3 662,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,172 kr | 2 930,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-0208
- Tillv. art.nr:
- DMG4466SSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | DMG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.42W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie DMG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.42W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.95mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, ITO-220, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101