Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-artikelnummer:
- 768-9310
- Tillv. art.nr:
- SIHB30N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
67,87 kr
(exkl. moms)
84,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 266 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 689 enhet(er) från den 03 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 67,87 kr |
| 10 - 49 | 61,15 kr |
| 50 - 99 | 54,43 kr |
| 100 - 249 | 51,07 kr |
| 250 + | 47,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 768-9310
- Tillv. art.nr:
- SIHB30N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, E-serien, låg meritfaktor, Vishay Semiconductor
Effekt-MOSFET:erna i E-serien från Vishay är högspänningstransistorer med ultralåg maximal påslagningsresistans, låg förtjänst och snabb omkoppling. De finns tillgängliga i ett brett utbud av strömklassningar. Typiska tillämpningar inkluderar servrar och telekomnätaggregat, LED-belysning, flyback-omvandlare, effektfaktorkorrigering (PFC) och switchade nätaggregat (SMPS).
Egenskaper
Låg meritfaktor (FOM) RDS(on) x Qg
Låg ingångskapacitans (Ciss)
Låg påslagningsresistans (RDS(on))
Ultralåg grindladdning (Qg)
Snabbväxlande
Minskade kopplings- och ledningsförluster
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E Series
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 600 V, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG105N60EF