Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-artikelnummer:
- 210-4976
- Tillv. art.nr:
- SIHB21N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rör med 50 enheter)*
577,50 kr
(exkl. moms)
722,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 11,55 kr | 577,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-4976
- Tillv. art.nr:
- SIHB21N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 205mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 179W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.06mm | |
| Längd | 14.61mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie E | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 205mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 179W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.06mm | ||
Längd 14.61mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 17.4 A drain current.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHW21N80AE
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG21N80AE