Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-artikelnummer:
- 210-4966
- Tillv. art.nr:
- SIHB11N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rör med 50 enheter)*
380,60 kr
(exkl. moms)
475,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 950 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 7,612 kr | 380,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-4966
- Tillv. art.nr:
- SIHB11N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 391mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 78W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.06mm | |
| Längd | 14.61mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie E | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 391mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 78W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.06mm | ||
Längd 14.61mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET i Vishay E-serien har D2PAK (TO-263) kapslingstyp med enkel konfiguration.
Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg
Låg effektiv kapacitans (Ciss)
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Ultralåg grindladdning (Qg)
Avalanche Energy Rating (UIS)
Integrerat ESD-skydd med Zenerdiod
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 15 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E Series