Vishay N Kanal, MOSFET, 47 A 600 V, 3 Ben, TO-263, E

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
225-9909
Tillv. art.nr:
SIHB053N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

47A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

E

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

54mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

92nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

278W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.67mm

Höjd

15.88mm

Bredd

9.65mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay Siliconix upprätthåller tillförlitlighetsdata för halvledarteknik och förpackningens tillförlitlighet representerar en sammansättning av alla kvalificerade platser.

4:e generationens E-seriens teknik

Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg

Låg effektiv kapacitans (Co(er))

Minskade kopplings- och ledningsförluster

Avalanche Energy Rating (UIS)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.