Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB105N60EF

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

62 898,00 kr

(exkl. moms)

78 624,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +20,966 kr62 898,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7204
Tillv. art.nr:
SIHB105N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

SiHB105N60EF

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

102mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

208W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

53nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.67mm

Bredd

4.83mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

15.88mm

Fordonsstandard

Nej

Vishays EF-serie effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod har en 4:e generationens E-serieteknik. Den har minskade omkopplings- och ledningsförluster.

Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg

Låg effektiv kapacitans (Co(er)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.