Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-artikelnummer:
- 279-9903
- Tillv. art.nr:
- SIHB150N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 373,20 kr
(exkl. moms)
1 716,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 950 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 27,464 kr | 1 373,20 kr |
| 100 + | 24,416 kr | 1 220,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 279-9903
- Tillv. art.nr:
- SIHB150N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.137Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 179W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.137Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 179W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 600 V drain source-spänning, 22 A kontinuerlig drain-ström – SIHB150N60E-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanal-halvledarenhet som är utformad för omkopplings- och effektomvandlingsroller i krävande industriella miljöer. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och levereras i en TO-263-kapsel för ytmontering för tillämpningar där kretskortsmonterad strömhantering och värmehantering krävs.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningsklassning möjliggör högspänningskoppling
• 22 A kontinuerlig dräneringsström för långvarig belastningshantering
• 0.137 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförlusterna
• 179 W effektförlust för ökad termisk prestanda
• 36 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsstyrning
• 30 V grindgräns som möjliggör robusta grinddrivarmarginaler
• 22 A kontinuerlig dräneringsström för långvarig belastningshantering
• 0.137 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförlusterna
• 179 W effektförlust för ökad termisk prestanda
• 36 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsstyrning
• 30 V grindgräns som möjliggör robusta grinddrivarmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för industriella motorväxelriktare
• Idealisk för offline switchade nätaggregat
• Används med högspännings-DC/DC-omvandlare
• Kan användas för steg för effektfaktorkorrigering
• Lämplig för hårt växlande topologier i kraftelektronik
• Idealisk för offline switchade nätaggregat
• Används med högspännings-DC/DC-omvandlare
• Kan användas för steg för effektfaktorkorrigering
• Lämplig för hårt växlande topologier i kraftelektronik
Vilka förpackningsaspekter påverkar kretskortstermisk design?
Ytmonteringsformatet TO-263 kräver en betydande kopparyta och värmeledningar under kapslingen för att extrahera värme och utnyttja 179 W avledningsförmåga samtidigt som kopplingstemperaturer bibehålls.
Hur påverkar valet av grinddrivare omkopplingsprestanda?
Med en typisk grindladdning på 36 nC och en maximal Vgs på 30 V påverkar drivströmmen och styrningen av slew rate direkt omkopplingsförluster och elektromagnetiska utsläpp under övergångar.
Vilka miljöextrema kan enheten tolerera?
Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i installationer som utsätts för stora temperaturvariationer utan nedgradering för grundläggande drift.
Finns det begränsningar för polaritet eller kanaldrift?
Enheten är en förstärkningsläge N-kanal MOSFET, därför kräver den en positiv gate-källspänning i förhållande till källan för att slå på och måste användas därefter i kretstopologi.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 15 A 600 V, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 15 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 21 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E