onsemi N Kanal, MOSFET, 1.6 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-9655
- Tillv. art.nr:
- FDN86246
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 150,10 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
109,54 kr
(exkl. moms)
136,93 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 375 enhet(er) levereras från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,908 kr | 109,54 kr | - |
| 50 - 95 | 18,906 kr | 94,53 kr | 150,10 kr |
| 100 - 495 | 16,396 kr | 81,98 kr | 551,20 kr |
| 500 - 995 | 14,38 kr | 71,90 kr | 3 764,00 kr |
| 1000 + | 13,126 kr | 65,63 kr | 8 782,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9655
- Tillv. art.nr:
- FDN86246
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 481mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 830mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 940μm | |
| Bredd | 2.92mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 481mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 830mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 940μm | ||
Bredd 2.92mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.6 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.3 A 150 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 800 mA 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench