onsemi N Kanal, MOSFET, 2.3 A 150 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 864-8026
- Tillv. art.nr:
- FDC86244
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 29%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
74,82 kr
(exkl. moms)
93,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 960 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,482 kr | 74,82 kr | - |
| 100 - 490 | 5,242 kr | 52,42 kr | 29% |
| 500 - 990 | 4,514 kr | 45,14 kr | 39% |
| 1000 - 2990 | 3,853 kr | 38,53 kr | 48% |
| 3000 + | 3,741 kr | 37,41 kr | 50% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 864-8026
- Tillv. art.nr:
- FDC86244
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 273mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 273mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.7mm | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.3 A 150 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.6 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 800 mA 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench