onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 362,00 kr

(exkl. moms)

5 454,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • 21 000 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,454 kr4 362,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-7590
Tillv. art.nr:
FDN338P
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

115mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.4nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.92mm

Höjd

0.94mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar