onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 545-0135
- Tillv. art.nr:
- BSS123LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
17,92 kr
(exkl. moms)
22,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 300 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 600 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 35 720 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,792 kr | 17,92 kr |
| 100 - 240 | 1,613 kr | 16,13 kr |
| 250 + | 1,422 kr | 14,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 545-0135
- Tillv. art.nr:
- BSS123LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 225mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.94mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 225mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.94mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
Effekt-MOSFET med N-kanal, 100 V till 1700 V, ON-halvledare
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 150 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench