onsemi N Kanal, MOSFET, 2.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-9651
- Tillv. art.nr:
- FDN8601
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
26,43 kr
(exkl. moms)
33,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 28 september 2026
- Dessutom levereras 340 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 5,286 kr | 26,43 kr |
| 50 - 95 | 4,548 kr | 22,74 kr |
| 100 - 495 | 3,942 kr | 19,71 kr |
| 500 - 995 | 3,472 kr | 17,36 kr |
| 1000 + | 3,18 kr | 15,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9651
- Tillv. art.nr:
- FDN8601
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 183mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.92mm | |
| Höjd | 0.94mm | |
| Längd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 183mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.92mm | ||
Höjd 0.94mm | ||
Längd 1.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench