onsemi N Kanal, MOSFET, 1.6 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

18 918,00 kr

(exkl. moms)

23 646,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +6,306 kr18 918,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-2695
Tillv. art.nr:
FDN86246
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

481mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.9nC

Maximal effektförlust Pd

1.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

830mV

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

940μm

Längd

1.4mm

Bredd

2.92mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.