onsemi N Kanal, MOSFET, 2.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 166-1613
- Tillv. art.nr:
- FDN8601
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 166-1613
- Tillv. art.nr:
- FDN8601
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 183mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 940μm | |
| Bredd | 2.92mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 183mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 940μm | ||
Bredd 2.92mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench