onsemi N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 472,00 kr

(exkl. moms)

14 340,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,824 kr11 472,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-1803
Tillv. art.nr:
FDN335N
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

PowerTrench

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8V, +8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

940μm

Längd

2.92mm

Bredd

1.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar