onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 761-3947
- Tillv. art.nr:
- FDC6305N
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
59,25 kr
(exkl. moms)
74,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 6 900 enhet(er) levereras från den 06 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,925 kr | 59,25 kr |
| 100 - 490 | 4,424 kr | 44,24 kr |
| 500 - 990 | 3,472 kr | 34,72 kr |
| 1000 - 2990 | 2,811 kr | 28,11 kr |
| 3000 + | 2,352 kr | 23,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-3947
- Tillv. art.nr:
- FDC6305N
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 128mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 960mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.77V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 128mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 960mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.77V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The FDC6305N is an N-Channel MOSFET featuring a low threshold. Designed with PowerTrench® technology it boasts minimise on-state resistance and low-gate charge for superior switching performance.
Features and Benefits:
• Low gate charge
• Fast switching speed
• PowerTrench® technology
• Super small footprint. 72% smaller than a SO08.
The FDC6305N is typically used in these applications;
• Load switching
• DC/DC Converters
• Motor Driving
PowerTrench® dubbel N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFET är optimerade strömomkopplare som erbjuder ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning, liten omvänd återställning och en mjuk diod för omvänd återställning för att bidra till snabb omkoppling av synkron likriktning i AC/DC-nätaggregat.
Mjukt kroppsdiodprestanda för PowerTrench® MOSFET:er kan eliminera snubberkrets eller ersätta en MOSFET med högre spänning.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad 2.7 A 20 V Förbättring SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P MOSFET 6 Ben PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 2.7 A 100 V Förbättring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 2.7 A 30 V Förbättring SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad 3 A 20 V Förbättring SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad 2.5 A 30 V Förbättring SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad 1.9 A 20 V Förbättring SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad 340 mA 60 V Förbättring SOT-23, PowerTrench
