Sök efter MPN

DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 4.98 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC

RS-artikelnummer:: 751-5344
Tillv. art.nr:: ZXMHC3F381N8TC
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 4.98 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

70,42 kr

(exkl. moms)

88,03 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

5 enhet(er) är redo att levereras
Dessutom levereras 24 335 enhet(er) från den 08 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 20	14,084 kr	70,42 kr
25 - 120	10,76 kr	53,80 kr
125 - 620	8,52 kr	42,60 kr
625 - 1245	7,592 kr	37,96 kr
1250 +	6,902 kr	34,51 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 751-5344
Tillv. art.nr:: ZXMHC3F381N8TC
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	DiodesZetex
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4.98A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	SOIC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	80mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	1.35W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	9nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.82V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Transistorkonfiguration	Helbrygga
	Standarder/godkännanden	RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020
	Höjd	1.5mm
	Längd	5mm
	Bredd	4mm
	Antal element per chip	4
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke DiodesZetex
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.98A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp SOIC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 1.35W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.82V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Transistorkonfiguration Helbrygga
	Standarder/godkännanden RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020
	Höjd 1.5mm
	Längd 5mm
	Bredd 4mm
	Antal element per chip 4
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Kompletterande förstärkningsläge MOSFET H-brygga, Diodes Inc.

MOSFET-transistorer, inbyggda dioder

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.