DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC

Antal (1 längd med 5 enheter)*

89,24 kr

(exkl. moms)

111,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 +17,848 kr89,24 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
770-3393
Tillv. art.nr:
ZXMC3A16DN8TA
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

50mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

2.1W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.85V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202

Bredd

4mm

Höjd

1.5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.