DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 751-5348
- Tillv. art.nr:
- ZXMHC6A07N8TC
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
67,74 kr
(exkl. moms)
84,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 7 385 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 13,548 kr | 67,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-5348
- Tillv. art.nr:
- ZXMHC6A07N8TC
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 350mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.36W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Helbrygga | |
| Standarder/godkännanden | UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 4 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 350mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.36W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Helbrygga | ||
Standarder/godkännanden UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 4 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Kompletterande förstärkningsläge MOSFET H-brygga, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 4.98 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 850 mA 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 7.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC