DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 7.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

9 810,00 kr

(exkl. moms)

12 262,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 22 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,924 kr9 810,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
122-3273
Tillv. art.nr:
DMHC3025LSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.4nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Transistorkonfiguration

Helbrygga

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Höjd

1.5mm

Bredd

3.95mm

Längd

4.95mm

Antal element per chip

4

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Kompletterande förstärkningsläge MOSFET H-brygga, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.