Sök efter MPN

DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 850 mA 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC

RS-artikelnummer:: 751-5332
Tillv. art.nr:: ZXMHC10A07N8TC
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 850 mA 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

64,26 kr

(exkl. moms)

80,33 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 09 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	12,852 kr	64,26 kr
50 +	11,066 kr	55,33 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 751-5332
Tillv. art.nr:: ZXMHC10A07N8TC
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	DiodesZetex
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	850mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	SOIC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.45mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	950mV
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.36W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.9nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Transistorkonfiguration	Helbrygga
	Höjd	1.5mm
	Bredd	4mm
	Standarder/godkännanden	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Längd	5mm
	Antal element per chip	4
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke DiodesZetex
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 850mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp SOIC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.45mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 950mV
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.36W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.9nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Transistorkonfiguration Helbrygga
	Höjd 1.5mm
	Bredd 4mm
	Standarder/godkännanden RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Längd 5mm
	Antal element per chip 4
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Kompletterande förstärkningsläge MOSFET H-brygga, Diodes Inc.

MOSFET-transistorer, inbyggda dioder

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.