DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 246-6774
- Tillv. art.nr:
- DMC4050SSDQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 246-6774
- Tillv. art.nr:
- DMC4050SSDQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.06Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37.56nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.14W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.06Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37.56nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.14W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex är utformad för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i SO-8-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning. Den har ett arbetstemperaturområde på -55 °C till +150 °C.
Maximal dränering till källspänning är 40 V och maximal grind till källspänning är ±20 V. Den låga RDS(ON) hjälper till att minimera effektförluster Den låga Qg hjälper till att minimera omkopplingsförluster
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 5.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 3.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP AEC-Q101
