onsemi N Kanal, MOSFET, 1.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS355
- RS-artikelnummer:
- 739-0167
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-674
- Tillv. art.nr:
- NDS355AN
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
44,80 kr
(exkl. moms)
56,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 35 enhet(er) från den 21 september 2026
- Dessutom levereras 7 210 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 8,96 kr | 44,80 kr |
| 50 - 95 | 7,706 kr | 38,53 kr |
| 100 - 495 | 6,698 kr | 33,49 kr |
| 500 - 995 | 5,868 kr | 29,34 kr |
| 1000 + | 5,376 kr | 26,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 739-0167
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-674
- Tillv. art.nr:
- NDS355AN
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | NDS355 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 230mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Höjd | 0.94mm | |
| Längd | 2.92mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie NDS355 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 230mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Höjd 0.94mm | ||
Längd 2.92mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS355
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi N-kanal Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V, 3 Ben, SOT-23, FDN
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23