onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- RS-artikelnummer:
- 166-1755
- Tillv. art.nr:
- FQT7N10LTF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 166-1755
- Tillv. art.nr:
- FQT7N10LTF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | QFET | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 350mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie QFET | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 350mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
QFET® N-kanalig MOSFET, upp till 5,9 A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nya plana QFET® MOSFETs använder avancerad, egenutvecklad teknik för att erbjuda förstklassig driftprestanda för ett brett spektrum av applikationer, inklusive strömförsörjning, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, Plasma Display Panels (PDP), belysningsballaster och rörelsekontroll.
De ger minskad on-state-förlust genom lägre on-resistans (RDS(on)) och minskad switchförlust genom lägre grindladdning (Qg) och utgångskapacitans (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad FOM (figure of merit) jämfört med konkurrerande plana MOSFET-enheter.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 850 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, QFET MOSFET, 9.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, QFET
- onsemi Typ P Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench